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J-GLOBAL ID：200903095708422033

ヘルメット、フロントガラス、風防ガラス及びそれらの作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
荒井 康行

About 荒井 康行

, 
寺本 聡

About 寺本 聡


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004173559
Publication number (International publication number)：2005051207
Application date： Jun. 11, 2004
Publication date： Feb. 24, 2005
Summary：
【課題】 アクティブマトリクス型の液晶表示装置においてフレキシビリティーのあるものを提供する。【解決手段】 ガラス基板101上に薄膜トランジスタを形成し、アクリル樹脂等でなる封止層119を介して透光性を有し、かつ可撓性を有する樹脂基板120を接着する。そして、ガラス基板101を剥離することにより、可撓性を有する樹脂基板120上に薄膜トランジスタが形成された構成を得る。こうして、可撓性を有した樹脂基板を用いた半導体装置を作製し、作製した半導体装置をヘルメットのシールドまたはフロントガラス、風防ガラスの表面に装着することができる。【選択図】 図8
Claim (excerpt)：
半導体装置がシールドに配置されているヘルメットにおいて、 前記半導体装置は、 下地膜となる酸化珪素膜上に形成された薄膜トランジスタを用いた回路と、 前記回路上に形成された接着層を介して固定された樹脂基板とを有することを特徴とするヘルメット。
IPC (6)：
H01L21/336 ,  A42B3/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786
FI (5)：
H01L29/78 627D ,  A42B3/22 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 602C ,  H01L27/12 B
F-Term (87)：
2H088EA03 ,  2H088EA23 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088HA08 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090JC04 ,  2H090JD13 ,  2H090JD17 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KA17 ,  2H092KA24 ,  2H092KB03 ,  2H092KB13 ,  2H092KB22 ,  2H092KB23 ,  2H092KB25 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092RA10 ,  3B107CA02 ,  3B107DA07 ,  3B107EA09 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA15 ,  5F052EA16 ,  5F052JA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC04 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE03 ,  5F110EE34 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ18 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HM14 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 半導体装置の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053737   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特表平6-504139
  • 特開平4-178633
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Cited by examiner (6)
  • 半導体装置の作製方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-053737   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 特表平6-504139
  • 特開平4-178633
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