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J-GLOBAL ID:200903095716852187
ゲート絶縁膜の形成方法
Inventor:
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,
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
松隈 秀盛
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994187371
Publication number (International publication number):1996055988
Application date: Aug. 09, 1994
Publication date: Feb. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】 フラットバンド電圧のシフトの低減化をはかる。【構成】 半導体基板2上に、基板温度を、100°Cを超え250°C未満の温度範囲に選定してプラズマプロセスによってゲート絶縁膜26を成膜する。
Claim (excerpt):
半導体基板上に、基板温度を、100°Cを超え250°C未満の温度範囲に選定してプラズマプロセスによってゲート絶縁膜を成膜することを特徴とするゲート絶縁膜の形成方法。
IPC (3):
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 29/43
FI (2):
H01L 29/78 617 V
, H01L 29/62 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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