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J-GLOBAL ID：200903095721751216

成膜方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および常圧CVD装置

Inventor： 福原 圭司
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001124570
Publication number (International publication number)：2002319580
Application date： Apr. 23, 2001
Publication date： Oct. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】 最初から量産用の基板に対して成膜を行うことができる成膜方法、薄膜トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器、および常圧CVD装置を提供すること。【解決手段】 常圧CVD装置100において、BPSG膜を形成する際、まず、安定化工程として、ディスパージョンヘッド152に対して、成膜ガスのうち、TEOSガス、TMOPガス、TEBガスを高濃度で供給し、O3ガスについてはディスパージョンヘッド152に供給しない。しかる後、成膜工程では、成膜ガスを所定濃度でディスパージョンヘッド152に供給し、TFTアレイ基板10上にBPSG膜を形成する。

Claim (excerpt)：

常圧CVD装置のディスパージョンヘッドに対して成膜ガスを供給し、当該ディスパージョンヘッドから放出される成膜ガスによって基板に薄膜を形成する成膜方法において、前記ディスパージョンヘッドに前記成膜ガスを高濃度で供給する安定化工程と、該安定化工程に続いて前記ディスパージョンヘッドに所定濃度の成膜ガスを供給して基板上に薄膜を形成する成膜工程とを有することを特徴とする成膜方法。

IPC (6)：

H01L 21/31 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786

FI (6)：

H01L 21/31 B ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 619 A

F-Term (90)：

2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA46 ,  2H092MA07 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EB02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB02 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AE29 ,  5F045AF07 ,  5F045BB04 ,  5F045CA15 ,  5F045CB05 ,  5F045DC52 ,  5F045DC55 ,  5F045DP05 ,  5F045DQ16 ,  5F045EE03 ,  5F045EE15 ,  5F045EE18 ,  5F058BA07 ,  5F058BB04 ,  5F058BB07 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF03 ,  5F058BF25 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF32 ,  5F058BJ02 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG47 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL05 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN26 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP33 ,  5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 有機Siソースを用いた成膜方法、同成膜装置、及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-160899   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の層間絶縁膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-070957   Applicant：ヒヨンデエレクトロニクスインダストリーズカンパニーリミテッド
• 絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-051651   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 薄膜半導体装置とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-333237   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-015629
  
• 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-273233   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-015629