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J-GLOBAL ID：200903095752620551

半導体装置

Inventor： 泉 聡志 ,  馬場 嘉朗
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997061389
Publication number (International publication number)：1998256545
Application date： Mar. 14, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】酸化時にトレンチライン終端部で発生する応力を低減させることができ、もって転位の発生を抑制して耐圧特性の向上を図れる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体層にトレンチを形成し、このトレンチ内に酸化絶縁膜を介してゲート電極を埋め込んでなるトレンチライン1を備えた半導体装置において、隣接するトレンチライン1の終端部2を結合部10で一体に結合させている。

Claim (excerpt)：

半導体層にトレンチを形成し、このトレンチ内に酸化絶縁膜を介してゲート電極を埋め込んでなるトレンチラインを備えた半導体装置において、隣接するトレンチラインの終端部を結合させてなることを特徴とする半導体装置。

FI (3)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 電力用半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057641   Applicant：株式会社東芝