半導体発光素子の製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057690
Publication number (International publication number)：1996255930
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 NH3ガスを用いることなくチッ化ガリウム系化合物半導体層を安全に気相成長させ、安価な半導体発光素子の製法を提供する。【構成】反応管内に原料ガスを導入し気相成長法により基板1上に少なくともn型層4とp型層6を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系金属化合物を用いることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

反応管内に原料ガスを導入し気相成長法により基板上に少なくともn型層とp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層する半導体発光素子の製法であって、前記原料ガスに少なくともヒドラジン系金属化合物を用いることを特徴とする半導体発光素子の製法。

IPC (4)：

H01L 33/00 , C23C 16/18 , H01L 21/205 , H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 C , C23C 16/18 , H01L 21/205 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-004720 Applicant：旭化成工業株式会社
特開昭50-056400
特開昭63-103894

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