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J-GLOBAL ID：200903095812047554

複合磁性体及びその製造方法ならびに電磁干渉抑制体

Inventor：
▲吉▼田 栄▲吉▼

About ▲吉▼田 栄▲吉▼

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佐藤 光晴

About 佐藤 光晴

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菅原 英州

About 菅原 英州

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島田 寛

About 島田 寛


Applicant, Patent owner：
株式会社トーキン

About 株式会社トーキン


Agent (1)： 後藤 洋介 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995244096
Publication number (International publication number)：1997093034
Application date： Sep. 22, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 渦電流による透磁率特性の劣化を抑止し高い実部透磁率を実現しつつ、高周波透磁率特性を広い範囲で制御することの出来る複合磁性体及びその製造方法、ならびに移動体通信機器をはじめとする高周波電子機器類内部での電磁波の干渉抑制に有効な薄厚の電磁干渉抑制体を提供すること。【解決手段】 磁歪定数λがゼロでない値をもち扁平状に加工された軟磁性体粉末であって、加工後のその平均厚さが所望の複合磁性体の使用周波数における表皮深さよりも小さく、誘電体層として少なくともその表面に酸化膜層をもつ軟磁性体粉末を用い、更に焼鈍処理を組み合わせることで高周波透磁率特性を広い範囲で制御可能とした複合磁性体を提供し、更に残留歪み量の異なる複数の前記複合磁性体を用いることで高周波電子機器類内部での電磁波の干渉抑制に有効な電磁干渉抑制体を提供する。
Claim (excerpt)：
磁歪定数λが正の組成を有し偏平状に加工された軟磁性体粉末と、有機結合剤からなることを特徴とする複合磁性体。
IPC (3)：
H01Q 17/00 ,  H01F 1/113 ,  H05K 9/00
FI (3)：
H01Q 17/00 ,  H05K 9/00 M ,  H01F 1/113
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
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