半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998367288
Publication number (International publication number)：2000195835
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】レジストや汚染有機物除去、酸化物薄膜形成、熱酸化等を低温かつプラズマダメージ無しに行う。【解決手段】 300nm 以下の波長の光照射、触媒との接触、110 °C以上の加熱、電気化学反応、微小液滴の加熱等により、過酸化水素を含む液体や気体からOH等のラジカルを多量に含む液体やガスを生成し、ウエハに供給する。

Claim (excerpt)：

過酸化水素を含むガスもしくは液体に曝露させた被処理基板表面に、300nm 以下の波長の光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 645 , H01L 21/304 647 , H01L 21/027 , H01L 21/306

FI (4)：

H01L 21/304 645 D , H01L 21/304 647 Z , H01L 21/30 572 B , H01L 21/306 D

F-Term (15)：

5F043AA02 , 5F043BB01 , 5F043CC16 , 5F043DD02 , 5F043DD07 , 5F043DD08 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043GG10 , 5F046MA02 , 5F046MA03 , 5F046MA04 , 5F046MA07 , 5F046MA12 , 5F046MA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-302145
特開平4-302145
半導体基板の表面処理方法及び処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-241032 Applicant：株式会社日立製作所

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