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J-GLOBAL ID：200903095871237898

薄膜磁気抵抗素子

Inventor： 小林 伸聖 ,  村上 進 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健 ,  三谷 誠司 ,  藤森 啓安
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998111301
Publication number (International publication number)：1999274599
Application date： Mar. 18, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、軟磁性薄膜と耐熱性の良好な巨大磁気抵抗(GMR)薄膜を複合化することによって、磁界感度が高く耐熱性の良好な薄膜磁気抵抗素子を提供することを目的とする。【解決手段】該薄膜磁気抵抗素子は、軟磁性薄膜とGMR薄膜を組み合わせることにより、高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜の高い透磁率によって、弱磁界において高い磁界感度を示す。また、GMR薄膜の良好な耐熱性によって、200°C以上の温度環境においても良好な磁界感度を示す。

Claim (excerpt)：

軟磁性薄膜と巨大磁気抵抗薄膜とによって構成され、巨大磁気抵抗薄膜の両側に軟磁性薄膜を配置することにより、磁気抵抗効果の磁界感度を上げた薄膜磁気抵抗素子において、巨大磁気抵抗薄膜の膜厚が軟磁性薄膜の膜厚以下であることを特徴とする薄膜磁気抵抗素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果型ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-306798   Applicant：ティーディーケイ株式会社