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J-GLOBAL ID：200903095896011916

半導体装置

Inventor：
生田 貴紀

About 生田 貴紀


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000091039
Publication number (International publication number)：2001284503
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体素子による発熱を良好に放散させ、高信頼性・高性能であり、低背化が可能で薄型・小型な半導体装置を提供する。【解決手段】 配線基板2の主面上に導体バンプ3を介して搭載実装され、前記主面に対して略垂直方向に貫通孔4aが形成された半導体素子4と、半導体素子4の配線基板2と反対側に配置され、半導体素子4側に設けた凸部5aが貫通孔4aに挿入された放熱部材5とを具備する半導体装置である。凸部5aと平板状部5bとにより半導体素子4の発熱を良好に放散させることができる。
Claim (excerpt)：
配線基板の主面上に導体バンプを介して搭載実装され、前記主面に対して略垂直方向に貫通孔が形成された半導体素子と、該半導体素子の前記配線基板と反対側に配置され、前記半導体素子側に設けた凸部が前記貫通孔に挿入された放熱部材とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/36 ,  H01L 23/12
FI (3)：
H01L 23/36 Z ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/12 L
F-Term (5)：
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BB21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • パッケージの実装構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-172645   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-321784   Applicant：日本電気株式会社
  • 放熱構造
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-287687   Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立コンピュータエレクトロニクス

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