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J-GLOBAL ID：200903095916952569

半導体発光素子の製造方法と半導体発光素子

Inventor：
杉本 康宜

About 杉本 康宜

, 
清久 裕之

About 清久 裕之

, 
落合 真尚

About 落合 真尚


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001241388
Publication number (International publication number)：2003060298
Application date： Aug. 08, 2001
Publication date： Feb. 28, 2003
Summary：
【要約】【課題】 出射側端面の劣化を少なくして寿命を長くする。【解決手段】 半導体発光素子の製造方法は、窒化ガリウム系化合物半導体層からなる複数の層を積層している発光素子の少なくとも活性層107を含む発光領域層115を切断して、光の出射側端面を設けるように、へき開面に延長して切断溝170を設ける溝加工工程と、溝加工工程で設けた切断溝170の内部に、出射側端面から出射される光の波長λ(nm)に対して、1240/λよりも大きいバンドギャップ(Eg)を有する窒化物半導体からなる単結晶層180を結晶成長させる成長工程と、切断溝170に沿ってへき開して光導波層の出射側端面をへき開端面181とする単結晶層180で被覆するへき開工程とからなる。
Claim (excerpt)：
窒化ガリウム系化合物半導体層からなる複数の層を積層している発光素子の少なくとも活性層(107)を含む発光領域層(115)を切断して、光の出射側端面を設けるように、へき開面に延長して切断溝(170)を設ける溝加工工程と、溝加工工程で設けた切断溝(170)の内部に、出射側端面から出射される光の波長λ(nm)に対して、1240/λよりも大きいバンドギャップ(Eg)を有する窒化物半導体からなる単結晶層(180)を結晶成長させる成長工程と、切断溝(170)に沿ってへき開して光導波層の出射側端面をへき開端面(181)とする単結晶層(180)で被覆するへき開工程とからなる半導体発光素子の製造方法。
IPC (2)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/343 610
FI (2)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/343 610
F-Term (14)：
5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB14 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA32 ,  5F073DA33 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体レ-ザ素子およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-369471   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-123674   Applicant：日立電線株式会社
  • 特開昭63-316495
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