ショットキーバリアダイオードを有する半導体装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997330037
Publication number (International publication number)：1999163373
Application date： Dec. 01, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】アノード電極形成用コンタクトホールの形成位置のずれによるリーク電流の増大を回避可能なショットキーバリアダイオードを有する半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1の主表面に形成されたn型不純物拡散層4bの表面に1対のp+ ガードリング層9bが形成される。ショートキーバリアダイオード形成領域の表面全面に高融点金属珪化物層10h,10iが形成される。高融点金属珪化物層10h,10iと電気的に接続されるように金属電極14h,14iが形成される。

Claim (excerpt)：

主表面を有する半導体基板と、前記主表面に選択的に形成された素子分離領域と、前記素子分離領域に囲まれるショットキーバリアダイオード形成領域の表面全面に形成された高融点金属珪化物層と、前記高融点金属珪化物層直下に形成されたガードリング層と、前記主表面上に形成され、前記高融点金属珪化物層の一部表面に達するコンタクトホールを有する絶縁層と、前記コンタクトホール内に形成され、前記高融点金属珪化物層と電気的に接続される電極と、を備えた、ショットキーバリアダイオードを有する半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/872 , H01L 21/8234 , H01L 27/06

FI (2)：

H01L 29/48 G , H01L 27/06 102 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-201558
特開平2-262372
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-018123 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page