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J-GLOBAL ID：200903095941043972

強誘電体薄膜の構造及びその化学的気相成長法

Inventor：
谷本 智

About 谷本 智


Applicant, Patent owner：
日産自動車株式会社

About 日産自動車株式会社


Agent (1)： 三好 秀和 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999009693
Publication number (International publication number)：2000208715
Application date： Jan. 18, 1999
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、前置層をペロブスカイト単一相の結晶構造からなる強誘電体層として、強誘電体膜全体の厚さを例えば150nm以下程度に薄くしても、誘電率の低下及びリーク電流の増大を防止することを目的とする。【解決手段】 チタンジルコン酸鉛(PZT)系の強誘電体薄膜の構造52において、少なくともZr元素を含まない前置層53の組成が、主層54と同型のペロブスカイト型強誘電体の化学量論組成に等しいことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
少なくともZr元素を含まない前置層と、前記Zr元素を含み前記前置層よりも厚い主層とを、化学的気相成長法を用いて形成したチタンジルコン酸鉛(PZT)系の強誘電体薄膜の構造において、前記前置層の組成が、前記主層と同型のペロブスカイト型強誘電体の化学量論組成に等しいことを特徴とする強誘電体薄膜の構造。
IPC (6)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4)：
H01L 27/04 C ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 651
F-Term (31)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030BB13 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA01 ,  4K030LA15 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ20 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD10 ,  5F045BB16 ,  5F045DA62 ,  5F045EE12 ,  5F045EE18 ,  5F083FR05 ,  5F083GA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA16 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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