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J-GLOBAL ID：200903011907378303

金属酸化物誘電体膜の気相成長方法

Inventor：
辰巳 徹

About 辰巳 徹


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 若林 忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998219184
Publication number (International publication number)：2000058525
Application date： Aug. 03, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、配向性、結晶性ともに優れた金属酸化物をプラグ上に低温で形成することを可能にする金属酸化物誘電体膜の気相成長方法を提供することを目的とし、さらに、この気相成長方法を用いて微細化され、高集積化され、多層メタル化された長寿命の電子デバイスを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明による気相成長方法は、従来のような導電性材料上に同一の条件で成膜を行う成長方法に対して、電極上にペロブスカイト型結晶構造の初期核形成もしくは初期層形成を行う第一の成膜条件と、その後に、形成された初期核上にペロブスカイト型結晶構造の膜成長を行う第二の成膜条件とで成膜条件を変え、それぞれ最適な条件を選んで成膜する。
Claim (excerpt)：
導電性材料上への有機金属材料ガスを用いたABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物誘電体膜の気相成長方法であって、第一の成膜条件で、金属酸化物誘電体の原料となる有機金属材料ガスのすべてを用いて、前記導電性材料上にペロブスカイト型結晶構造の初期核形成を行い、第二の成膜条件で、この初期核上にさらにペロブスカイト型結晶構造の膜成長を行う金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。
IPC (2)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/40
FI (2)：
H01L 21/31 B ,  C23C 16/40
F-Term (39)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AE17 ,  5F045AF14 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045CB05 ,  5F045CB10 ,  5F045DA61 ,  5F045DP04 ,  5F045EB08 ,  5F045EC09 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EG02 ,  5F045EG03 ,  5F045EG04 ,  5F045EG08 ,  5F045EM09 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
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