半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002039237
Publication number (International publication number)：2003243326
Application date： Feb. 15, 2002
Publication date： Aug. 29, 2003
Summary：

【要約】【課題】無電解メッキ法によるメタル系のバリア膜成膜プロセスにおける選択性の向上を図り、銅配線間の導通による動作不良のない信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】金属配線層4上に、触媒金属による活性化処理及び無電解メッキ処理により銅拡散防止機能を有するバリア膜5を形成するとともに、活性化処理、無電解メッキ処理の少なくともいずれか一方の後に洗浄処理が行われる。この洗浄処理は、メッキ装置11にて、金属汚染物質除去能力を有する薬液洗浄又はスクラブ洗浄の少なくとも一方が行われる。メッキ装置11には、洗浄処理機構としてスクラバー15が配設される。

Claim (excerpt)：

銅を含む金属配線上に、触媒金属による活性化処理及び無電解メッキ処理により銅拡散防止機能を有するバリア膜を形成するとともに、上記活性化処理、無電解メッキ処理の少なくともいずれか一方の後に洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/288 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

FI (4)：

H01L 21/288 Z , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/88 B , H01L 21/88 R

F-Term (61)：

4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104DD53 , 4M104DD75 , 4M104DD99 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH05 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033KK03 , 5F033KK07 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP14 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033XX03 , 5F033XX21 , 5F033XX28 , 5F033XX31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

めっき方法及びめっき構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-143620 Applicant：ソニー株式会社
洗浄方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-129588 Applicant：株式会社荏原製作所, 株式会社東芝
特開昭61-028215

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