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J-GLOBAL ID:200903095998710398

電磁結合相互接続システム・アーキテクチャ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002587961
Publication number (International publication number):2005513824
Application date: Nov. 13, 2001
Publication date: May. 12, 2005
Summary:
電磁相互接続方法および装置は、電子工学システムの要素間において、無接点近接接続を実施する。電子工学システムの要素間において通信されるデータは、搬送波信号に変調され、電磁結合によって無接点伝送される。電磁結合は、システムの要素間に直接存在するか、または中間伝送媒体を経て存在する可能性がある。
Claim (excerpt):
伝送線と、 それぞれが電磁カプラを備える複数の電子構成要素と、 を備え、 各前記電子構成要素が、前記伝送線の全長に沿って配置され、かつ前記伝送線から間隔をおいてであるが、前記電子構成要素の前記電磁カプラが前記伝送線に電磁結合されるように、前記伝送線に十分接近して配置され、 それにより、前記複数の電子構成要素の1つの電磁カプラに提供されたデータが、前記伝送線に無接点通信され、かつ前記伝送線から前記複数の電子構成要素の少なくとも他の1つの電磁カプラに無接点通信される、電子工学システム。
IPC (1):
H04B5/02
FI (1):
H04B5/02
F-Term (5):
5K012AA01 ,  5K012AA03 ,  5K012AA05 ,  5K012AB03 ,  5K012AC06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • バス配線
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-106853   Applicant:株式会社日立製作所
  • 垂直方向集積化回路の各チップ層間の誘導による信号伝送用装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-297072   Applicant:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
  • マイクロ波半導体装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-110944   Applicant:三菱電機株式会社
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