半導体記憶装置の製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000269723
Publication number (International publication number)：2002083884
Application date： Sep. 06, 2000
Publication date： Mar. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】ゲート電極短絡を確実に防止する半導体記憶装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に第1のゲート絶縁膜3を介して第1の浮遊ゲート電極材料膜4aを形成した後、素子分離溝8を加工し、この素子分離溝8に素子分離絶縁膜10が第1の浮遊ゲート電極材料膜4aの面位置より突出した状態に埋め込み、この上に、第2の浮遊ゲート電極材料膜4bを堆積し、この第2の浮遊ゲート電極材料膜4b上に、マスク材11の酸化膜を形成した後、このマスク材11をマスクに第2の浮遊ゲート電極膜4bをエッチング加工して、素子分離絶縁膜10上においてスリット13で分離する。その後、そのスリット13内におけるゲート電極材料膜4bの残渣をエッチング除去し、次いで、水洗処理し、その後、マスク材11をエッチング除去する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極材料膜を形成する工程と、前記ゲート電極材料膜を、マスク材をマスクにエッチングしてゲート電極を分離形成する工程と、前記ゲート電極の分離形成工程後、前記マスク材を剥離する工程を具備してなり、前記マスク材の剥離工程は、前記ゲート電極材料膜の残渣をエッチング除去する工程と、前記エッチング除去工程後、前記ゲート電極材料膜の残渣除去部分を水洗処理する工程と、前記水洗処理工程後、前記マスク材をエッチング除去する工程とからなることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 21/76 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 434 , H01L 21/76 L , H01L 29/78 371

F-Term (46)：

5F001AA03 , 5F001AA31 , 5F001AD41 , 5F001AD44 , 5F001AD53 , 5F001AD60 , 5F001AG21 , 5F001AG29 , 5F001AG40 , 5F032AA34 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032AA77 , 5F032BA01 , 5F032BA05 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA78 , 5F083EP05 , 5F083EP23 , 5F083EP76 , 5F083ER21 , 5F083GA24 , 5F083JA33 , 5F083KA01 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR42 , 5F083PR52 , 5F101BA13 , 5F101BA17 , 5F101BD22 , 5F101BD27 , 5F101BD34 , 5F101BD35 , 5F101BH02 , 5F101BH15 , 5F101BH21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-319415 Applicant：三菱電機株式会社
特開昭62-136855
特開昭62-136855

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