単結晶引上装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995138133
Publication number (International publication number)：1996333190
Application date： Jun. 05, 1995
Publication date： Dec. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】ルツボの融液部に磁場を印加して単結晶を生成する単結晶引上装置において、磁界発生部の形状、取付方法、励磁の方法等を改良し、省電力で安価でかつ漏れ磁界の小さい単結晶引上装置を得ることを目的とする。【構成】単結晶引上装置に備わった磁界発生部200を単結晶引上部100のチャンバ12に固定し、電磁力をチャンバ12で支持しする。また、超電導コイル201、202および保冷容器17a、17bの形状をチャンバ12の形状に沿ったものにする。

Claim (excerpt)：

ルツボに充填された単結晶原料融液に種結晶を挿入し、この種結晶を引き上げることにより単結晶を生成する単結晶引上部と、この単結晶引上部の両側に設けられたコイルを含み、単結晶原料融液部に水平方向の磁界を与える磁界発生部と、からなる単結晶引上装置において、上記磁界発生部のコイルをそれぞれ上記単結晶引上部に取り付ける支持構造を備えたことを特徴とする単結晶引上装置。

IPC (5)：

C30B 15/00 , C30B 15/22 , C30B 29/06 502 , C30B 30/04 , H01L 21/208

FI (5)：

C30B 15/00 Z , C30B 15/22 , C30B 29/06 502 G , C30B 30/04 , H01L 21/208 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭59-195595
特開昭60-016891
特開昭59-121185

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