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J-GLOBAL ID：200903096232549842

半導体レーザ装置

Inventor： 浅野 英樹 ,  和田 貢 ,  福永 敏明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998085230
Publication number (International publication number)：1999298086
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】 1.0μm帯半導体レーザの高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-In0.48Ga0.52Pクラッド層2、nまたはi-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1光導波層3、i-GaAs1-y2Py2引張り歪バリア層4、圧縮歪Inx3Ga1-x3As1-y3Py3 量子井戸活性層5、i-GaAs1-y2Py2引張り歪バリア層6、pまたはi-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1光導波層7、p-In0.48Ga0.52Pクラッド層8、p-GaAsコンタクト層9を順次形成する。なお、各クラッド層2、8および各光導波層3、7はそれぞれ基板1に格子整合する組成とし、引張り歪バリア層4、6は各層厚が10〜30nmであって、基板1に対する引張り歪の歪量が、歪量×層厚=5〜20%nmとなる組成とし、活性層5は層厚 6〜10nmであって、基板1に対する圧縮歪の歪量が1.0%以上となる組成とし、各バリア層の歪量と層厚との積の和が量子井戸活性層の歪量と層厚との積より大である組成とする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、p型またはn型の一方の導電性を有する第一クラッド層、第一光導波層、GaAs1-y2Py2第一バリア層、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層、GaAs1-y2Py2 第二バリア層、第二光導波層、p型またはn型の他方の導電性を有する第二クラッド層がこの順に積層されてなる半導体レーザ装置であって、前記第一および第二クラッド層が前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一および第二光導波層が前記GaAs基板に格子整合するInGaAsP 系組成からなり、前記第一および第二バリア層が、それぞれ前記GaAs基板に対して引張り歪を有する、層厚10〜30nm の層であって、その引張り歪の歪量×層厚=5〜20%nmを満たす組成からなり、前記Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層が、層厚6〜10nmの層であって、前記GaAs基板に対して1.0%以上の圧縮歪を有する組成からなるものであり、前記第一バリア層の歪量と層厚との積と前記第二バリア層の歪量と層厚との積との和が、前記量子井戸活性層の歪量と層厚との積より大であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-022173   Applicant：古河電気工業株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-256714   Applicant：株式会社日立製作所