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J-GLOBAL ID：200903096238337928

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： 岩田 普
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997356564
Publication number (International publication number)：1999186593
Application date： Dec. 25, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光表示装置の発光効率、発光輝度を高くするとともに、作成を容易にして歩留まりを高くする。【解決手段】 基板11上に、クラッド層12と活性層13からなる、厚さが100μm以下、大きさが1mm以下である半導体薄片14を膜状に積層し、発光膜15を形成した。クラッド層12の禁制帯幅は活性層13の禁制帯幅より大きい。活性層13の禁制帯幅よりもエネルギーの大きい波長の光や、真空中で電子線を当てると、活性層13で電子と正孔ができ、再結合して発光する。クラッド層12の禁制帯幅が活性層13の禁制帯幅より大きいため、電子と正孔は活性層13に閉じ込められ、発光効率が高く、劣化しにくい。

Claim (excerpt)：

層状のクラッド層とこのクラッド層に挟まれた活性層とからなる半導体薄片を膜状に単層又は多層積層した発光膜が形成されており、且つ、前記クラッド層の禁制帯幅が前記活性層の禁制帯幅以上であることを特徴とする半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光素子および電子線励起レーザー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217232   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子および半導体表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-090281   Applicant：シャープ株式会社