微細レジストホールパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：阿形明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000353509
Publication number (International publication number)：2002156764
Application date： Nov. 20, 2000
Publication date： May. 31, 2002
Summary：

【要約】【課題】ハーフトーン位相シフトマスクを用いたリソグラフィ法によりレジストホールパターンを形成する際に、ハーフトーン位相シフトマスクを用いたときに生じるディンプルを抑制することができ、しかもサーマルフロープロセスを適用する際の単位温度当りのレジストパターンサイズの変化量をコントロールしうる方法を提供する。【解決手段】 (イ)(A)酸によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)加熱により樹脂成分(A)と反応して架橋を形成する少なくとも2個のビニルエーテル基を有する化合物及び(D)有機アミンからなるポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成させ、(ロ)上記レジスト膜にハーフトーン位相シフトマスクを介して放射線を照射後、アルカリ現像して得たレジストパターンを加熱し、レジストパターンサイズを縮小させる。

Claim (excerpt)：

ハーフトーン位相シフトマスクを用いたリソグラフィ法によりレジストホールパターンを形成するに当り、(イ)(A)酸によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)加熱により樹脂成分(A)と反応して架橋を形成する少なくとも2個のビニルエーテル基を有する化合物及び(D)有機アミンからなるポジ型レジスト組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成させること、及び(ロ)上記レジスト膜にハーフトーン位相シフトマスクを介して放射線を照射後、アルカリ現像して得たレジストパターンを加熱し、レジストパターンサイズを縮小させることを特徴とする微細レジストホールパターン形成方法。

IPC (7)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521 , H01L 21/027

FI (8)：

G03F 7/40 511 , G03F 7/004 501 , G03F 7/039 601 , G03F 7/11 , G03F 7/20 502 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 574

F-Term (34)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AD03 , 2H025BC23 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF15 , 2H025BG00 , 2H025CB45 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA09 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096CA05 , 2H096EA11 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H097CA13 , 2H097GB00 , 2H097JA02 , 2H097JA04 , 2H097LA10 , 2H097LA12 , 5F046AA28 , 5F046BA08 , 5F046CB17 , 5F046PA03 , 5F046PA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-323332 Applicant：信越化学工業株式会社

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