化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999323332
Publication number (International publication number)：2001142199
Application date： Nov. 12, 1999
Publication date： May. 25, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】分子内に一般式(1)-a〜cで示される官能基を2つ以上含有する化合物を含有してなることを特徴とするサーマルフロープロセスによるコンタクトホールパターン形成用化学増幅ポジ型レジスト材料。(式中、R1〜R4は水素原子又は直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R5〜R9は直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、隣接するRnは互いに結合して環状を成してもよい。)【効果】化学増幅ポジ型レジスト材料を用いてコンタクトホールパターンを形成するに当たり、コンタクトホールパターンを加熱処理しコンタクトホールサイズを更に微細化する工程において、化学増幅ポジ型レジスト材料に用いられる高分子化合物と架橋することのできる官能基を分子内に2つ以上有した化合物を添加することによって、加熱微細化を容易に制御し、適応性に富んだプロセスを提供すると共に、超LSI製造用の微細コンタクトホールパターン形成を可能にする。

Claim (excerpt)：

分子内に一般式(1)-a〜(1)-cで示される官能基を2つ以上含有する化合物を含有してなることを特徴とするサーマルフロープロセスによるコンタクトホールパターン形成用化学増幅ポジ型レジスト材料。【化1】(式中、R1〜R4は水素原子又は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R5〜R9は炭素数1〜12の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R1とR3、R4とR5、R5とR6、R7とR8又はR7とR9又はR8とR9は互いに結合して環状を成してもよい。)

IPC (5)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 501 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/039 601 , G03F 7/40 501 , H01L 21/30 502 R

F-Term (33)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AB20 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CC03 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA29 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096HA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-104590 Applicant：信越化学工業株式会社
レジストフロー工程用フォトレジスト組成物、及びこれを利用したコンタクトホールの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-330953 Applicant：現代電子産業株式会社
レジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-121479 Applicant：三星電子株式会社

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