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J-GLOBAL ID:200903096301550882

単分子膜累積法を用いた無機薄膜及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997341832
Publication number (International publication number):1999140656
Application date: Nov. 05, 1997
Publication date: May. 25, 1999
Summary:
【要約】【課題】本発明は、基板上に単分子膜累積法を用いて、有機分子中に金属元素を含有する形で単分子膜を累積して有機薄膜になした後、これを物理的あるいは化学的手法により膜中の有機構造成分を分解することを特徴とする無機薄膜およびその製造方法に関するものであり、従来のゾル-ゲル法等の溶液化学的手法では困難であった構造制御された無機薄膜およびその製造方法を提供するものである。【解決手段】本発明は、基板上に金属元素を含有した単分子膜を累積し、分子レベルで構造制御された有機薄膜になした後、該有機薄膜中の有機構造成分を分解することにより無機薄膜を得る方法である。
Claim (excerpt):
単分子膜累積法を用いて金属元素の組成、配列等を制御した単分子膜を累積して有機薄膜を形成した後、該有機薄膜中の有機構造成分を分解除去することにより製造される無機薄膜。
IPC (3):
C23C 18/08 ,  B01J 19/00 ,  B01J 19/00 301
FI (3):
C23C 18/08 ,  B01J 19/00 M ,  B01J 19/00 301 D
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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