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J-GLOBAL ID：200903096305365761

抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法

Inventor：
小田川 明弘

About 小田川 明弘

, 
長野 能久

About 長野 能久


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006110347
Publication number (International publication number)：2007287761
Application date： Apr. 13, 2006
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：
【課題】基板と基板上に配置された多層構造体とを含み、多層構造体が上部電極および下部電極と、当該電極間に配置された抵抗変化層とを含み、当該電極間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、当該電極間に所定の電圧または電流を印加することにより、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、従来の素子とは異なる構成を有し、半導体製造プロセスとの親和性に優れるとともに抵抗変化特性に優れる素子を提供する。【解決手段】抵抗変化層がFe2O3と、含有率(重量%)にしてFe2O3の0〜20%のFe3O4とを含み、下部電極が、抵抗変化層とは組成が異なり、かつ、Fe3O4を含む鉄酸化物からなり、上記抵抗変化層と上記下部電極とが互いに接している素子とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に配置された多層構造体とを含み、 前記多層構造体が、上部電極および下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に配置された抵抗変化層と、を含み、 前記上部電極と前記下部電極との間の電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、 前記上部電極と前記下部電極との間に所定の電圧または電流を印加することにより、前記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化素子であって、 前記抵抗変化層は、Fe2O3と、含有率(重量%)にしてFe2O3の0〜20%のFe3O4と、を含み、 前記多層構造体は、前記抵抗変化層とは組成が異なり、かつ、Fe3O4を含む鉄酸化物膜をさらに含み、 前記鉄酸化物膜は、前記抵抗変化層の前記下部電極側の主面に接するように配置されている抵抗変化素子。
IPC (3)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
F-Term (17)：
5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA20 ,  5F083PR12 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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