Pat
J-GLOBAL ID:200903096321061764
半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001349599
Publication number (International publication number):2003152086
Application date: Nov. 15, 2001
Publication date: May. 23, 2003
Summary:
【要約】【課題】 開口率を下げることなく、必要な容量値を確保できる素子構造を提供する。【解決手段】 基板に溝またはトレンチ凹部を設け、溝の中に容量素子を作製する。基板に設けた溝が多ければ多いほど、容量値は増大する。また溝の深さによっても容量は増加する。すなわち溝の数を調整することによって容量値を調整でき、溝の深さを調整することによっても容量値を調整できる。またこの容量素子は、半導体膜の下部に設けられるため、当該半導体膜への下部からの光の入射を防止する遮光膜の役割も担う。
Claim (excerpt):
薄膜トランジスタと当該薄膜トランジスタに接続された保持容量素子とを有する半導体装置であって、当該保持容量素子は、少なくともその一部が基板に設けられた溝内に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (10):
H01L 21/822
, G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, H01L 21/336
, H01L 21/8234
, H01L 27/04
, H01L 27/06
, H01L 27/08 331
, H01L 29/786
FI (9):
G02F 1/1333 505
, G02F 1/1343
, G02F 1/1368
, H01L 27/08 331 E
, H01L 27/04 C
, H01L 27/06 102 A
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 29/78 626 C
, H01L 29/78 619 B
F-Term (128):
2H090HA04
, 2H090HD05
, 2H090JA06
, 2H090LA01
, 2H090LA04
, 2H092GA17
, 2H092GA21
, 2H092JA24
, 2H092JA28
, 2H092JB04
, 2H092JB62
, 2H092NA25
, 2H092PA01
, 5F038AC04
, 5F038AC05
, 5F038AC10
, 5F038AC15
, 5F038AC16
, 5F038AC17
, 5F038AC18
, 5F038AC19
, 5F038EZ06
, 5F038EZ20
, 5F048AC10
, 5F048BA16
, 5F048BC06
, 5F110AA21
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110BB10
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD05
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD21
, 5F110DD25
, 5F110DD30
, 5F110EE01
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE23
, 5F110EE28
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110FF23
, 5F110FF28
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110FF36
, 5F110GG01
, 5F110GG03
, 5F110GG04
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG32
, 5F110GG43
, 5F110GG44
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ12
, 5F110HJ13
, 5F110HJ23
, 5F110HL01
, 5F110HL02
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL05
, 5F110HL06
, 5F110HL08
, 5F110HL11
, 5F110HL12
, 5F110HM14
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110NN36
, 5F110NN42
, 5F110NN44
, 5F110NN45
, 5F110NN46
, 5F110NN47
, 5F110NN48
, 5F110NN54
, 5F110NN55
, 5F110NN73
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP04
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP10
, 5F110PP24
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ04
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
, 5F110QQ23
, 5F110QQ24
, 5F110QQ25
, 5F110QQ28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
-
特開平2-219265
-
半導体記憶装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-348543
Applicant:株式会社東芝
-
特開平2-014548
-
半導体装置及び液晶表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-307642
Applicant:三洋電機株式会社
-
特開平3-129326
-
特開昭64-081262
-
特開昭60-039862
-
アクティブマトリクス型表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-391869
Applicant:株式会社半導体エネルギー研究所
-
液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-188779
Applicant:シャープ株式会社
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