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J-GLOBAL ID：200903098275351666

半導体装置及び液晶表示装置

Inventor：
神野 優志

About 神野 優志

, 
平井 恭子

About 平井 恭子


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995307642
Publication number (International publication number)：1997146118
Application date： Nov. 27, 1995
Publication date： Jun. 06, 1997
Summary：
【要約】【課題】 p-SiTFTを用いた駆動回路一体型液晶表示装置において、p-SiTFTのソース領域と液晶駆動用の表示電極とのコンタクト形成構造を改良し、開口率を向上する。【解決手段】 ソース領域11Sとソース電極16を接続するコンタクトホールCT2の径ct2を、ソース電極16と表示電極18を接続するコンタクトホールCT3の径ct3よりも小さくし、コンタクトホールCT3をコンタクトホールCT2の直上位置に形成する。コンタクトホールCT2の径を小さくしててもコンタクト抵抗はあまり上昇せず、かつ、表示電極18は、コンタクトホールCT3の比較的浅い段差部CTAにおいて、ソース電極16との良好なコンタクトが得られる。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された第1導電膜と、前記第1導電膜上に形成された第1の層間絶縁膜と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された第2の層間絶縁膜と、前記第2の層間絶縁膜上に形成された第2導電膜とを有し、前記第1の導電膜と前記第2導電膜が、前記第1の層間絶縁膜中に開口された第1のコンタクトホール及び前記第2の層間絶縁膜中に開口された第2のコンタクトホールを介して電気的に接続されてなる半導体装置において、前記第1のコンタクトホールは、前記第2のコンタクトホールよりも径が大きく、前記第2のコンタクトホールは前記第1のコンタクトホール内に埋め込まれた第2の層間絶縁膜中に開口され、前記第2導電膜は実質的に前記第2のコンタクトホールを介して前記第1導電膜に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786
FI (4)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 A ,  H01L 29/78 612 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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