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J-GLOBAL ID：200903096339374875

光電変換素子の製造方法

Inventor： 吉田 隆
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051474
Publication number (International publication number)：1995263727
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】光電変換素子の効率を高めるために、光入射側の透明電極の表面および裏面電極の表面を凹凸化する新しい方法を提供する。【構成】基板上に微粒子を含んだプラスチック膜を形成して表面を凹凸化し、その上に裏面電極、非晶質半導体層、透明電極を積層すれば、裏面電極および透明電極の表面に凹凸形状を形成できる。あるいは、基板上に裏面電極、非晶質半導体層、透明電極を積層したのち、透明微粒子を含んだ透明プラスチック膜を形成すれば、その表面の凹凸形状により反射率が低減する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に0.05〜10μmの範囲の粒径をもつ微粒子を含む耐熱性プラスチック膜を被着し、その上に裏面電極層、光電変換半導体層、透明電極層を順次積層することを特徴とする光電変換素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-196364
  
• 特開昭62-252976
  
• 特開平4-367281
  
• 光起電力装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-243271   Applicant：三洋電機株式会社