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J-GLOBAL ID：200903096359627087

水素吸蔵合金材料の表面処理方法、水素吸蔵合金電極の活性化処理方法、活性化溶液、および、初期活性に優れた水素吸蔵合金電極

Inventor：
砥綿 真一

About 砥綿 真一

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伊東 一彦

About 伊東 一彦

, 
門浦 弘明

About 門浦 弘明


Applicant, Patent owner：
株式会社豊田中央研究所

About 株式会社豊田中央研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059978
Publication number (International publication number)：1996291391
Application date： Feb. 21, 1996
Publication date： Nov. 05, 1996
Summary：
【要約】【課題】 表面活性に優れた水素吸蔵合金材料または電極を得るための水素吸蔵合金材料の表面処理方法または活性化処理方法、活性化方法、それに用いる活性化溶液、初期活性に優れた水素吸蔵合金電極を提供する。【解決手段】 水素吸蔵合金材料にNH4 F・HF溶液などの表面処理液を接触させ、酸化物などの表面活性阻害物質を除去するとともに、少なくとも前記水素吸蔵合金材料表面の水素吸蔵部または/および水素通過部に、微細な凹凸および/または微細なクラックからなる表面活性部を形成してなる水素吸蔵合金材料の表面処理方法、水素吸蔵合金電極の活性化処理方法、および、初期活性に優れた水素吸蔵合金電極。また、活性金属をイオン化傾向の差を利用して自動的に合金表面に析出させ、合金を活性化させる方法、およびそれに用いる活性化溶液。
Claim (excerpt)：
水素吸蔵合金材料に表面処理液を接触させて処理し、該水素吸蔵合金表面に形成される酸化物などの表面活性阻害物質を除去するとともに、少なくとも前記水素吸蔵合金材料表面の水素吸蔵部または/および水素通過部に、微細な凹凸および/または微細なクラックからなる表面活性部を形成してなることを特徴とする水素吸蔵合金材料の表面処理方法。
IPC (6)：
C23F 1/00 ,  B22F 1/00 ,  C01B 3/00 ,  C22C 16/00 ,  C23F 1/26 ,  H01M 4/38
FI (6)：
C23F 1/00 A ,  B22F 1/00 H ,  C01B 3/00 A ,  C22C 16/00 ,  C23F 1/26 ,  H01M 4/38 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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