電極、電極形成方法、薄膜トランジスタ、電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置および電子機器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：増田達哉 , 朝比一夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004162538
Publication number (International publication number)：2005203728
Application date： May. 31, 2004
Publication date： Jul. 28, 2005
Summary：

【課題】低コストで作製可能でありかつ正孔の注入効率の高い電極、かかる電極を簡便に製造し得る電極形成方法、信頼性の高い薄膜トランジスタ、この薄膜トランジスタを用いた電子回路、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、および、電子機器を提供すること。【解決手段】薄膜トランジスタ1は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、互いに分離して設けられたソース電極20aおよびドレイン電極20bと、ソース電極20aおよびドレイン電極20b間に介在する有機半導体層30と、有機半導体層30とゲート電極50との間に位置するゲート絶縁層40とを有する構造をしており、さらに基板10上に搭載されている。ソース電極20aおよびドレイン電極20bは、それぞれ、下地電極層21および表面電極層22の2層で構成されている。表面電極層22は、Cu、Ni、Co、Agのうちの少なくとも1種を含む酸化物を含有している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

主として有機材料で構成され正孔を輸送する機能を有する有機層に対して、正孔を注入する電極であって、前記電極は、該電極の少なくとも前記有機層側の面に、Cu、Ni、Coのうちの少なくとも1種を含む酸化物を含有することを特徴とする電極。

IPC (7)：

H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/43 , H01L29/786 , H01L51/00 , H05B33/14 , H05B33/26

FI (9)：

H01L21/28 301R , H05B33/14 A , H05B33/26 Z , H01L29/78 618B , H01L29/78 616U , H01L29/78 616V , H01L29/28 , H01L29/46 , H01L29/50 M

F-Term (81)：

3K007AB03 , 3K007AB18 , 3K007CB04 , 3K007CC00 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD51 , 4M104DD53 , 4M104DD65 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104EE18 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG04 , 4M104GG08 , 4M104HH20 , 5F110AA01 , 5F110AA07 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK18 , 5F110HK21 , 5F110HK31 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

有機EL素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-342363 Applicant：ティーディーケイ株式会社
有機薄膜トランジスタ及び液晶素子と有機発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-274401 Applicant：松下電器産業株式会社
有機発光素子及びそれを用いる画像形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-056531 Applicant：富士写真フイルム株式会社

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