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J-GLOBAL ID：200903070251706194

縦型有機トランジスタ

Inventor： 家地 洋之 ,  工藤 一浩
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー ,  工藤 一浩
Agent (1)： 瀧野 秀雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002286815
Publication number (International publication number)：2004128028
Application date： Sep. 30, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】電流密度及び動作速度を向上させると共に、再現性良く大量に生産できる構造の縦型有機トランジスタを低コストで提供する。【解決手段】基板1上に、少なくとも、第一の電極(ドレイン電極)2、第一の半導体層3、櫛状又はメッシュ状の第二の電極(ゲート電極)4、第二の半導体層5、及び、第三の電極(ソース電極)7を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の半導体層3を無機半導体材料で構成し、そして、前記第二の半導体層5を有機半導体材料で構成する。前記無機半導体材料は、例えば、導電性又は半導体的性質を有する金属酸化物である。前記有機半導体材料は、例えば、▲1▼ナフタレン等のアセン分子材料、▲2▼フタロシアニン系化合物等の顔料、▲3▼ヒドラゾン化合物等の低分子化合物、又は、▲4▼ポリ-N-ビニルカルバゾール等の高分子化合物である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも、第一の電極、第一の半導体層、櫛状又はメッシュ状の第二の電極、第二の半導体層、及び、第三の電極を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の半導体層を無機半導体材料で構成し、そして、前記第二の半導体層を有機半導体材料で構成したことを特徴とする縦型有機トランジスタ。

IPC (3)：

H01L29/80 ,  H01L51/00 ,  H05B33/14

FI (3)：

H01L29/80 V ,  H05B33/14 A ,  H01L29/28

F-Term (11)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC08 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL00 ,  5F102GS09 ,  5F102GS10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-374990   Applicant：株式会社東芝
• 有機薄膜半導体素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-058537   Applicant：パイオニア株式会社
• 静電誘導型トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-129161   Applicant：シャープ株式会社
• 有機半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-265170   Applicant：パイオニア株式会社