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J-GLOBAL ID：200903096391394736

マイクロ波高出力増幅器

Inventor：
清野 清春

About 清野 清春


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098615
Publication number (International publication number)：1995307626
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：
【要約】【目的】 マイクロ波高出力増幅器の高出力化を図ることを目的とする。【構成】 入力整合回路あるいは出力整合回路の少なくとも一方をマイクロストリップ線路で形成し、マイクロ波高出力増幅器の入力端末から出力端子までのFETの中央部及び両端部を通るマイクロ波の経路長を物理的にほぼ等しくするスリットをマイクロ波の伝ぱん方向に沿ってマイクロストリップ線路上に設けた。【効果】 入力端子から出力端子までのFETの中央部及び両端部を通るマイクロ波の経路長を等しくすることにより、FETの各部を同相で動作させることができ、マイクロ波高出力増幅器の高出力化を図ることができる効果がある。
Claim (excerpt)：
入力整合回路と出力整合回路と半導体増幅素子とから成るマイクロ波高出力増幅器において、上記、入力整合回路あるいは出力整合回路の少なくとも一方を誘電体基板あるいは半導体基板上に形成されたマイクロストリップ線路で構成し、かつ、マイクロ波の伝ぱん方向に沿って、上記、マイクロストリップ線路上には入力端子から出力端子までの上記半導体素子の中央部あるいは両端部を通るマイクロ波信号の経路長がほぼ等しくなるようなスリットを設けたことを特徴とするマイクロ波高出力増幅器。
IPC (5)：
H03F 3/60 ,  H01P 5/02 ,  H01P 5/08 ,  H01P 5/12 ,  H03F 3/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
  • 特開平3-066205
  • 特開平3-066205
  • 高周波半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-208882   Applicant：三菱電機株式会社
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