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J-GLOBAL ID：200903096414667972

半導体素子製造装置および半導体素子の製造方法

Inventor：
東 清一郎

About 東 清一郎


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000030756
Publication number (International publication number)：2001223208
Application date： Feb. 08, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：
【要約】【課題】 低いプロセス温度で高品質のMOS界面を形成可能な製造装置および製造方法。【解決手段】 酸素ラジカル処理により低界面順位密度のMOS界面を形成し、更に低ダメージなSiO蒸着による絶縁膜形成を酸素ラジカル雰囲気中で連続しておこなう一連のプロセスを、基板走査型の装置により大面積基板に適用可能ならしめる。
Claim (excerpt)：
真空中で基板を2次元的に走査できる基板ステージおよびSiO真空蒸着セルを具備することを特徴とする半導体素子製造装置。
IPC (5)：
H01L 21/31 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/203 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 21/31 A ,  C23C 14/24 J ,  H01L 21/203 M ,  H01L 29/78 617 V
F-Term (99)：
4K029AA06 ,  4K029BA46 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA15 ,  4K029CA17 ,  4K029DB05 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AA16 ,  5F045AA19 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB06 ,  5F045AB10 ,  5F045AB13 ,  5F045AB23 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF10 ,  5F045BB07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045EC03 ,  5F045EG03 ,  5F045EH11 ,  5F045EH13 ,  5F045EH17 ,  5F045EM10 ,  5F045HA18 ,  5F103AA01 ,  5F103AA04 ,  5F103AA08 ,  5F103BB02 ,  5F103BB16 ,  5F103BB36 ,  5F103DD03 ,  5F103DD12 ,  5F103DD16 ,  5F103DD27 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103HH05 ,  5F103LL07 ,  5F103LL13 ,  5F103PP01 ,  5F103PP20 ,  5F103RR03 ,  5F103RR06 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE04 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG46 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP31 ,  5F110PP38 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 絶縁膜形成方法及び半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-043308   Applicant：ソニー株式会社
  • イオンプレーティング装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-300095   Applicant：森六株式会社
  • 特開昭61-044432
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