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J-GLOBAL ID：200903096440491688

半導体製造装置

Inventor：
菅沼 慎二郎

About 菅沼 慎二郎


Applicant, Patent owner：
菅沼 慎二郎

About 菅沼 慎二郎


Agent (1)： 柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997295069
Publication number (International publication number)：1999135462
Application date： Oct. 28, 1997
Publication date： May. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、均一なメッキ処理を施すことができ、しかもメッキを施す半導体ウェハーの種類や大きさが変わっても、陽極板を交換することなく調整しながらメッキ処理を施すことができる半導体製造装置を提供しようとするものである。【解決手段】 本発明は、上方を開放した処理槽1の上方に半導体ウェハーWをその被処理面を下にして陰極ピン2にて支持するとともに、処理槽S内に陽極板3を配し、半導体ウェハーWの被処理面に処理液Sを噴流させながら、半導体ウェハーWと陽極板3の間に電流を流して半導体ウェハーWにメッキ、化成等の処理を施す噴流式半導体製造装置であって、陽極板3を複数の単位陽極板で構成するとともに、それぞれの単位陽極板に電気配線を施し、それぞれの単位陽極板への通電時間及び通電量を調整しながら、メッキ、化成等の処理を施すようにしたことを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして陰極ピンにして支持するとともに、処理槽内に陽極板を配し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら、半導体ウェハーと陽極板の間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す噴流式半導体製造装置であって、陽極板を複数の単位陽極板で構成するとともに、それぞれの単位陽極板に電気配線を施し、それぞれの単位陽極板への通電時間及び通電量を調整しながら、メッキ、化成等の処理を施すようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4)：
H01L 21/288 ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/60
FI (5)：
H01L 21/288 E ,  C25D 5/08 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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