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J-GLOBAL ID：200903094276877860

半導体の製造方法

Inventor： 菅沼 啓一郎
Applicant, Patent owner： 菅沼 啓一郎
Agent (1)： 柳野 隆生
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994126008
Publication number (International publication number)：1995335650
Application date： Jun. 08, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、不良品が発生することなく、精度の高いメッキ処理等を行うことができる半導体の製造方法を提供することを目的としている。【構成】 上方を開放した処理槽1の上方に半導体ウェハーWをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーWの被処理面に処理液Sを噴流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体の製造方法において、定常運転時に、処理液Sの噴流を停止し、半導体ウェハーWの被処理面と処理液Sとの接触を解くことにより、半導体ウェハーWの被処理面に付着する水素ガス等の泡Hを除去するようにしたことを特徴とする方法である。

Claim (excerpt)：

上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体の製造方法において、定常運転時に、処理液の噴流を停止し、半導体ウェハーの被処理面と処理液との接触を解くことにより、半導体ウェハーの被処理面に付着する水素ガス等の泡を除去するようにしたことを特徴とする半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-190476
  
• めっき方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-001445   Applicant：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
• めっき処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-107201   Applicant：日本電気株式会社