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J-GLOBAL ID：200903096553061990

半導体装置の製造方法

Inventor： 藤原 英明
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994211492
Publication number (International publication number)：1996078671
Application date： Sep. 05, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】接合の深さ及び不純物濃度勾配を制御することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】シリコン酸化膜5の上から基板1にヒ素をイオン注入してヒ素の注入領域6を形成し、次に、熱処理を行って注入したヒ素イオンを活性化させることで、電界緩和層としての低濃度のn- 領域9を形成する。ヒ素のイオン散乱の分散はシリコン酸化膜5によって増大されるため、ヒ素の注入領域6における不純物の分布はピークが低く分散が大きな状態になる。従って、n- 領域9における不純物濃度プロファイルはイオン注入後の状態からほとんど変化せず、ヒ素のイオン注入条件を変更するだけで、n- 領域9の接合の深さと不純物濃度勾配とを制御することができる。

Claim (excerpt)：

半導体層に高濃度の不純物領域と低濃度の不純物領域とを形成する半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-061348
  
• 特開平2-003242
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-147682   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭63-078521