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J-GLOBAL ID：200903096582762336

有機半導体材料及びそれを用いた有機デバイス

Inventor： 近松 真之 ,  板倉 篤志 ,  木村 龍実 ,  島田 悟 ,  吉田 郵司 ,  阿澄 玲子 ,  八瀬 清志
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006076111
Publication number (International publication number)：2007251086
Application date： Mar. 20, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：

【課題】 溶液プロセスにより作成でき、かつ、移動度やオン/オフ比の値が十分であり、しかも大気中で動作する有機電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】 次式(但し、式中、R1〜R3のうちの少なくとも1つは、炭素数1から20のパーフルオロアルキル基又は一部がフッ素化したセミフルオロアルキル基である。)で表されるフッ素化アルキル基を有するフラーレン誘導体をn型有機半導体として用いた有機電界効果型トランジスタ、及び該フラーレン誘導体を用いて溶液プロセスにより有機半導体層を形成し、さらにこれを、窒素、アルゴンまたは真空中で加熱処理する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

下記の[化1]で表されるフッ素化アルキル基を有するフラーレン誘導体。

IPC (5)：

H01L 51/30 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 29/06

FI (6)：

H01L29/28 250E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310E ,  H01L29/28 310L ,  H01L29/06 601B

F-Term (29)：

5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-243281   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (1)

• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-243281   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所