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J-GLOBAL ID:200903012366380632
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004243281
Publication number (International publication number):2006060169
Application date: Aug. 24, 2004
Publication date: Mar. 02, 2006
Summary:
【課題】 溶液プロセスによりC60薄膜を作製した有機FETは、真空プロセスで作製した場合に比べてFETの低コスト化および大面積化が可能である。しかしながら、その電子移動度は、真空蒸着法により作製したFETに比べ約2桁低い。その原因として、薄膜の結晶性が低いことや有機溶媒、酸素、水などの電子輸送の妨げになる残留物の存在が上げられる。本願発明の課題は、溶液プロセスを用いても高い電子移動度を示す有機FETを提供することである。【解決手段】 長鎖アルキル基を有するC60誘導体からなる結晶性の高いn型有機半導体を備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。溶液プロセスにより結晶性の高い有機半導体層を形成し、さらにこれを熱処理して電子移動度を向上させたことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
溶液プロセスにより形成された結晶性の高い有機半導体層を備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (4):
H01L 29/786
, H01L 29/06
, H01L 21/336
, H01L 51/05
FI (4):
H01L29/78 618B
, H01L29/06 601N
, H01L29/78 627F
, H01L29/28
F-Term (25):
5F110AA01
, 5F110AA28
, 5F110BB01
, 5F110BB04
, 5F110CC01
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110GG05
, 5F110GG42
, 5F110GG58
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK32
, 5F110HK33
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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有機半導体薄膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-324201
Applicant:旭化成株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-275968
Applicant:日本電信電話株式会社, パイオニア株式会社, 株式会社日立製作所, 三菱化学株式会社, ローム株式会社
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フラーレン誘導体及びそれを用いた構造体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-035455
Applicant:キヤノン株式会社
Article cited by the Patent:
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