カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001218578
Publication number (International publication number)：2002118248
Application date： Jul. 18, 2001
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】本発明は所望する特定位置にカーボンナノチューブを選択的に水平成長させる。それによって、ナノデバイス製造に有効に利用できるカーボンナノチューブの水平成長方法を提供する。【解決手段】本発明によるカーボンナノチューブの水平成長方法は、基板上に所定の触媒パターンを形成させる段階と、基板上にカーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を形成する段階と、基板及び垂直成長を抑制する層に開口部を形成して、触媒パターンを露出させる段階、及び露出された触媒パターン位置でカーボンナノチューブを合成して水平成長させる段階を含む。

Claim (excerpt)：

(a)基板上に所定の触媒パターンを形成させる段階と、(b)前記基板上にカーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を形成する段階と、(c)前記基板及び垂直成長を抑制する層に触媒パターンを切断するように開口部を形成して、その開口部内に前記触媒パターンを露出させる段階、及び(d)前記露出された触媒パターンの位置でカーボンナノチューブを合成して水平成長させる段階を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの水平成長方法。

IPC (7)：

H01L 29/06 601 , B82B 1/00 , B82B 3/00 , C01B 31/02 101 , C23C 16/26 , H01L 29/66 , H01L 29/80

FI (8)：

H01L 29/06 601 N , B82B 1/00 , B82B 3/00 , C01B 31/02 101 F , C23C 16/26 , H01L 29/66 C , H01L 29/66 S , H01L 29/80 A

F-Term (12)：

4G046CB03 , 4G046CC06 , 4G046CC08 , 4K030BA27 , 4K030BA44 , 4K030BB12 , 5F102FB10 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GC05 , 5F102HC01 , 5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

炭素質ファイバーの作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-028087 Applicant：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-325116 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

Cited by examiner (2)

炭素質ファイバーの作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-028087 Applicant：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-325116 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

"Nanotube Nanoelectronics"
"Engineering Carbon Nanotubes and Nanotube Circuits Using Electrical Breakdown"

Return to Previous Page