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J-GLOBAL ID：200903096613703015

カーボンナノチューブの水平成長方法及びこれを利用した電界効果トランジスタ

Inventor： ジン・クー・シン ,  キュウ・タエ・キム ,  ミン・ジャエ・ジュン ,  サン・スー・ユーン ,  ヤング・スー・ハン ,  ジャエ・ユン・イー
Applicant, Patent owner： エルジー電子株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001218578
Publication number (International publication number)：2002118248
Application date： Jul. 18, 2001
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】 本発明は所望する特定位置にカーボンナノチューブを選択的に水平成長させる。それによって、ナノデバイス製造に有効に利用できるカーボンナノチューブの水平成長方法を提供する。【解決手段】 本発明によるカーボンナノチューブの水平成長方法は、基板上に所定の触媒パターンを形成させる段階と、基板上にカーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を形成する段階と、基板及び垂直成長を抑制する層に開口部を形成して、触媒パターンを露出させる段階、及び露出された触媒パターン位置でカーボンナノチューブを合成して水平成長させる段階を含む。

Claim (excerpt)：

(a)基板上に所定の触媒パターンを形成させる段階と、(b)前記基板上にカーボンナノチューブの垂直成長を抑制する層を形成する段階と、(c)前記基板及び垂直成長を抑制する層に触媒パターンを切断するように開口部を形成して、その開口部内に前記触媒パターンを露出させる段階、及び(d)前記露出された触媒パターンの位置でカーボンナノチューブを合成して水平成長させる段階を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの水平成長方法。

IPC (7)：

H01L 29/06 601 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/80

FI (8)：

H01L 29/06 601 N ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C01B 31/02 101 F ,  C23C 16/26 ,  H01L 29/66 C ,  H01L 29/66 S ,  H01L 29/80 A

F-Term (12)：

4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4K030BA27 ,  4K030BA44 ,  4K030BB12 ,  5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 炭素質ファイバーの作成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-028087   Applicant：科学技術振興事業団, 松下電器産業株式会社
• 原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-325116   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド