Pat
J-GLOBAL ID：200903096635815828

ウェハ研磨装置用テーブル

Inventor：
石川 茂治

About 石川 茂治

, 
高木 英樹

About 高木 英樹


Applicant, Patent owner：
イビデン株式会社

About イビデン株式会社


Agent (1)： 恩田 博宣 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999362743
Publication number (International publication number)：2001179614
Application date： Dec. 21, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】 破壊しにくくて、半導体ウェハの大口径化・高品質化を確実に達成できるウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。【解決手段】 このテーブル2は、複数枚のセラミックス基材11A,11B,11Cを積層してなる積層構造物からなる。そのうち、セラミックス基材11Bの片側面には、流体流路12の一部をなす溝13が形成されている。積層構造物の上部には、ウェハ保持プレート6の保持面6aに保持されている半導体ウェハ5が摺接される研磨面2aを有する。溝13が形成されたセラミックス基材11Bを厚さ方向から見たときの投影面積に占める溝形成部位の面積の割合は、30%〜70%に設定されている。
Claim (excerpt)：
少なくとも片側面に流体流路の一部をなす溝が形成されたセラミックス基材を含む複数枚のセラミックス基材を、ロウ材層を介して接合した積層構造物からなり、その上部に、ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有するテーブルにおいて、前記溝が形成されたセラミックス基材を厚さ方向から見たときの投影面積に占める溝形成部位の面積の比率が30%〜70%に設定されていることを特徴とするウェハ研磨装置用テーブル。
IPC (3)：
B24B 37/04 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/68
FI (3)：
B24B 37/04 A ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/68 N
F-Term (12)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058BC02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB06 ,  3C058DA17 ,  5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA05 ,  5F031HA14 ,  5F031MA22 ,  5F031PA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM