酸化物単結晶薄膜およびその加工方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高山道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000069863
Publication number (International publication number)：2001072498
Application date： Mar. 14, 2000
Publication date： Mar. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】サファイヤc面基板{Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>(0001)}にエピタキシャル成長させたZn<SB>1-X </SB>Li<SB>X </SB>O(0≦X<0.3)単結晶薄膜は膜中の欠陥が多いため発光効率が小さいく、強誘電性も小さい。【解決手段】 ZnO(0001)との格子不整合が非常に大きいサファイヤc面基板{Al<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>(0001)}の代りに、格子整合し、極性が単一分域化するLiGaO<SB>2 </SB>単結晶の(001)基板を用いた。このLiGaO<SB>2 </SB>単結晶の(001)基板上の酸素面にZn<SB>1-X </SB>Li<SB>X </SB>O(0≦X<0.3)単結晶薄膜をエピタキシャル成長させたものである。さらに、LiGaO<SB>2 </SB>(001)基板結晶を用いることにより従来基板であるサファイヤc面基板上に作成したZnO単結晶薄膜導波路より伝播損失の小さい導波路が作成可能になった。

Claim (excerpt)：

ウルツ鉱型の結晶構造を有する単結晶基板上にZn<SB>1-X </SB>Li<SB></SB><SB>X </SB>O(0≦X<0.3)単結晶薄膜をエピタキシャル成長させたことを特徴とする酸化物単結晶薄膜。

IPC (10)：

C30B 29/22 , C23C 14/08 , G02B 6/12 , G02B 6/13 , G02F 1/03 501 , G02F 1/035 , G02F 1/355 501 , G02F 1/365 , H01L 21/306 , H01L 21/363

FI (11)：

C30B 29/22 Z , C23C 14/08 C , C23C 14/08 K , G02F 1/03 501 , G02F 1/035 , G02F 1/355 501 , G02F 1/365 , H01L 21/363 , G02B 6/12 N , G02B 6/12 M , H01L 21/306 B

F-Term (53)：

2H047NA02 , 2H047NA08 , 2H047PA03 , 2H047PA04 , 2H047PA24 , 2H047QA02 , 2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079CA05 , 2H079DA03 , 2H079DA22 , 2H079EA02 , 2K002CA02 , 2K002CA22 , 2K002DA06 , 2K002FA02 , 2K002HA02 , 2K002HA13 , 4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077BC60 , 4G077DA03 , 4G077DA05 , 4G077DA12 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077HA01 , 4G077SC01 , 4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BA50 , 4K029BB09 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029DB05 , 4K029DB08 , 4K029DB20 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 5F043AA40 , 5F043BB30 , 5F043FF01 , 5F043GG10 , 5F103AA01 , 5F103AA04 , 5F103AA08 , 5F103DD30 , 5F103GG01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

LiGaO2 単結晶体,単結晶基板,およびそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-015389 Applicant：日本電信電話株式会社

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