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J-GLOBAL ID：200903096719636252

半導体記憶装置

Inventor： 橋本 潔和
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996020821
Publication number (International publication number)：1997213079
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高速読み出しメモリ領域と大容量メモリ領域を有する半導体記憶装置において、大容量、小型化、高速化を可能にする半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 高速読み出しメモリ領域を通常の2値のセルを用いてNOR型に構成し、大容量メモリ領域を多値セルを用いてNOR型に構成し、これらを混在させて1チップの半導体記憶装置としている。

Claim (excerpt)：

1チップに多値セルをNOR型に配列したメモリ領域と通常セルをNOR型に配列したメモリ領域とを有することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2)：

G11C 11/41 ,  G01L 27/00

FI (2)：

G11C 11/40 Z ,  G01L 27/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-122014   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-237692