温度検出方法、半導体装置及び温度検出回路

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995278754
Publication number (International publication number)：1997119870
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 06, 1997
Summary：

【要約】【課題】MOSFETのしきい値の温度依存性を利用して温度を検出する場合に、より適切な基準電圧の与え方を提供する。【解決手段】同一の半導体基板内に、温度検出対象の縦型MOSFET21と温度検出セル22と基準電圧セル23とを形成して温度検出部内蔵電界効果トランジスタ101とする。温度検出セル22と基準電圧セル23は、同一のウェル領域内にそれぞれ横型MOSFETとして形成する。ゲート・ソース間電圧VGS-ドレイン電流ID特性において温度依存性が見られるようなドレイン電流I2で温度検出セル22を定電流駆動し、温度依存性が見られないドレイン電流I3で基準電圧セル23を定電流駆動し、温度検出セル22の出力電圧と基準電圧セル23の出力電圧の差に応じてコンパレータ103により温度を検出する。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体領域の表面に形成された逆導電型ウェル領域内に第1の横型MOSFETを形成し、前記第1の横型MOSFETのゲート・ソース間電圧とドレイン電流との関係の温度依存性を用いて温度を検出する温度検出方法において、前記逆導電型ウェル領域内に第2の横型MOSFETが形成されており、前記第2の横型MOSFETのゲート・ソース間電圧とドレイン電圧との関係における温度依存性が非常に小さくなる領域に前記第2の横型MOSFETの動作点を設定し、前記第2の横型MOSFETのゲート・ソース間電圧及びドレイン電流の少なくとも一方を基準として温度検出を行うことを特徴とする温度検出方法。

IPC (5)：

G01K 7/01 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78 , H03K 17/08

FI (7)：

G01K 7/00 391 M , H03K 17/08 Z , H03K 17/08 C , H01L 27/04 F , H01L 29/78 301 T , H01L 29/78 656 C , H01L 29/78 657 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

温度検知回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-189395 Applicant：エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペンファブリケン
集積回路上の温度検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-246623 Applicant：エスジェーエス-トムソンミクロエレクトロニクスソシエテアノニム
温度検出回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-137053 Applicant：日本電気株式会社

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