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J-GLOBAL ID：200903096754038244

エッチング液およびその製造方法ならびにエッチング方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 波賀 貞雄 ,  伊藤 勝治
Applicant, Patent owner： 三菱化学株式会社 ,  日本化成株式会社
Agent (1)： 岡田 数彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001227784
Publication number (International publication number)：2002115083
Application date： Jul. 27, 2001
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】好適なエッチング速度の選択が容易であり、安定したエッチング速度を持続でき、更には、容易に再利用が可能で、再利用場面が拡大された、エッチング液を提供する。特にシリコンウエハに要求されるウェハの平坦度、光沢度の向上、ウエハ全体の「うねり」抑制が充分に期待できる。【解決手段】少なくとも、弗酸、硝酸およびヘキサフルオロ珪酸を含むエッチング液であって、ヘキサフルオロ珪酸濃度が10重量%以上である。

Claim (excerpt)：

少なくとも、弗酸、硝酸およびヘキサフルオロ珪酸を含み、ヘキサフルオロ珪酸の濃度が10重量%以上であることを特徴とするエッチング液。

IPC (3)：

C23F 1/24 ,  C23F 1/46 ,  H01L 21/308

FI (3)：

C23F 1/24 ,  C23F 1/46 ,  H01L 21/308 B

F-Term (24)：

4K057WA04 ,  4K057WA09 ,  4K057WA10 ,  4K057WB06 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WE12 ,  4K057WG01 ,  4K057WG02 ,  4K057WG03 ,  4K057WH01 ,  4K057WM03 ,  4K057WM04 ,  4K057WM14 ,  4K057WN01 ,  5F043AA02 ,  5F043AA03 ,  5F043AA04 ,  5F043DD13 ,  5F043DD19 ,  5F043EE08 ,  5F043EE21 ,  5F043EE33 ,  5F043FF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化シリコンのエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-198311   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 特開昭59-166675
  
• 特開平3-001537