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J-GLOBAL ID:200903096805360588

ダイヤモンドの合成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995212447
Publication number (International publication number):1997040493
Application date: Jul. 27, 1995
Publication date: Feb. 10, 1997
Summary:
【要約】【課題】 広い面積に均一に、しかも比較的速い成長速度でダイヤモンド膜を成膜する。【解決手段】 プラズマCVD法により炭素を含む原料ガスからダイヤモンド膜を成膜する方法において、通常周波数域の高周波電力と直流電力を重畳して投入する。
Claim (excerpt):
プラズマCVD法により炭素を含む原料ガスからダイヤモンド膜を成膜する方法において、通常周波数域の高周波電力と直流電力を重畳して投入することを特徴とするダイヤモンドの合成方法。
IPC (3):
C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50
FI (3):
C30B 29/04 B ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 薄膜作成装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-093737   Applicant:日本真空技術株式会社

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