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J-GLOBAL ID：200903096807143371

アクティブマトリクス基板及びその製造方法

Inventor：
松島 康浩

About 松島 康浩


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998364156
Publication number (International publication number)：2000187245
Application date： Dec. 22, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 高開口率のアクティブマトリクス基板及びそのための製造工程の増加を抑えた製造方法を実現する。【解決手段】 基板上に形成された複数のゲートバス配線と、複数のソースバス配線と、ゲートバス配線とソースバス配線の交点にはゲート電極と、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有する半導体層とを備えた複数の薄膜トランジスタと、付加容量共通配線と、画素電極とを備えたアクティブマトリクス基板であって、前記ゲート電極は金属もしくは低抵抗の半導体材料によって形成され、前記ゲートバス配線及び前記付加容量共通配線は、透光性の導電膜によって形成されることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に形成された複数のゲートバス配線と、複数のソースバス配線と、ゲートバス配線とソースバス配線の交点にはゲート電極、ソース領域、ドレイン領域、チャネル領域を有する半導体層及びゲート絶縁膜を備えた複数の薄膜トランジスタと、付加容量共通配線と、画素電極と、を備えたアクティブマトリクス基板であって、前記付加容量共通配線と前記ドレイン領域の延在部とはオーバーラップし付加容量が形成されており、前記ゲート絶縁膜を前記付加容量を形成するための絶縁膜とし、前記付加容量共通配線は透光性の導電膜によって形成される事を特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (2)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343
FI (2)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343
F-Term (16)：
2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA15 ,  2H092NA07 ,  2H092NA21 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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