絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995056481
Publication number (International publication number)：1996228006
Application date： Feb. 21, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】光アニールによって結晶化させた半導体被膜を用いて作製される薄膜トランジスタの特性、信頼性等を向上させる。【構成】非晶質半導体膜をその最も狭い部分の幅が100μm以下になるようにエッチングし、島状半導体領域を形成する。そして、これにレーザー等の強光を照射することにより光アニールを施し、結晶化させる。その後、前記半導体膜の端部(周辺部)のうち、少なくとも薄膜トランジスタのチャネルを形成する部分、もしくはゲイト電極の横断する部分をエッチングする。

Claim (excerpt)：

非晶質半導体膜を、その最も狭い部分の幅が100μm以下である第1の形状にエッチングし、島状半導体領域を形成する工程と、前記半導体領域に光アニールを施して、結晶化せしめる、もしくは、結晶性を高める工程と、前記半導体領域の端部のうち、少なくとも半導体装置のゲイト電極もしくはチャネルを形成する部分を端から10μm以上エッチングして、第2の形状の半導体領域を形成する工程と、を有することを特徴とする絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (5)：

H01L 29/78 618 A , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭57-109322
半導体材料およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-080799 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
特開昭57-072319

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