半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995008959
Publication number (International publication number)：1996203994
Application date： Jan. 24, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 U溝分離の充填を容易にして、製造工程を簡略化できるようにすることを目的とする。【構成】 U溝11には、バイポーラトランジスタ上に形成される層間絶縁膜12,13が埋設・充填される。そして、バイポーラトランジスタは、半導体基板1の主面上に構成されており、U溝11およびチャネルストッパー4によって他の素子から分離される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の素子形成領域周辺に形成されたフィールド酸化膜と、絶縁膜が埋設され、前記フィールド酸化膜とともに前記素子形成領域を分離するためのU溝とを有し、前記絶縁膜は、前記素子形成領域上に形成された素子上の層間絶縁膜に連続して形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/76 , H01L 21/316 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (3)：

H01L 21/76 L , H01L 21/94 A , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開昭58-155357
特開平3-276680
特開昭60-181631

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