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J-GLOBAL ID：200903096877911910
磁場応答が改良された磁気素子とその作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000317501
Publication number (International publication number)：2001203405
Application date： Oct. 18, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 磁気素子、さらに詳しくは第1電極14,第2電極18およびスペーサ層16を含む磁気素子10の改良された新規の素子と、その作製方法が提供される。【解決手段】 第1電極14は、固定強磁性層26を含む。第2電極18が含められ、自由強磁性層28によって構成される。スペーサ層16は、固定強磁性層26と自由強磁性28層との間に配置される。少なくとも1つの付加層20,22が、ベース金属層13とスペーサ層16との間に設けられる。ベース金属層13、またはベース金属層13とスペーサ層16との間に配置される少なくとも1つの層は、X線アモルファス構造を有して、自由強磁性層28と固定強磁性層26との間のトポロジカル結合の強度の低減が実現される。
Claim (excerpt)：
磁気素子であって:最上部の表面を有するベース金属層(13);前記ベース金属層の前記最上部表面の上に配置される第1電極(14)であって、強磁性層(26)を含む第1電極;前記第1電極から間隔を空けて配置される第2電極(18)であって、強磁性層(28)を含む第2電極であって、前記第1電極および前記第2電極の前記強磁性層は、固定強磁性層(26)と自由強磁性層(28)とを含み、前記固定強磁性層は、前記自由層を切り替えることができる印加磁場が存在する中で、好適な方向に固定される磁化を有し、前記自由強磁性層は、印加磁場が存在する中で、磁化状態を自由に回転する磁化を有する第2電極;前記第1電極の前記強磁性層と、前記第2電極の前記強磁性層の間に配置されるスペーサ層(16)であって;前記スペーサ層の下に形成される層の1つは、X線アモルファス構造であり、前記自由強磁性層と、前記固定強磁性層との間のトポロジカル結合の強度の低減が実現されるスペーサ層;および基板(12),前記ベース金属層,前記第1および前記第2電極,および前記スペーサ層が、前記基板の上に形成されること;を特徴とする磁気素子。
IPC (11)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/13
, H01F 10/32
, H01L 27/105
, H01L 43/12
, H01F 10/14
, H01F 10/16
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/13
, H01F 10/32
, H01L 43/12
, H01F 10/14
, H01F 10/16
, G01R 33/06 R
, H01L 27/10 447
Cited by examiner (3)
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磁気抵抗効果素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-111419
Applicant：株式会社東芝
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磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-276238
Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
磁気記録再生装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-223277
Applicant：株式会社日立製作所
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