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J-GLOBAL ID：200903096925944320

集積回路レベル間絶縁構造

Inventor： ロバート エィチ.ヘイブマン ,  マノジ ケイ.ジェイン
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997111615
Publication number (International publication number)：1998041382
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 比誘電率の小さい材料による絶縁構造。【解決手段】 金属レベル間誘電体が2種類の相異なる比誘電率の小さい絶縁体を用いる。1つは金属レベル内の隙間の充填用(140)であり、他方は金属レベル間用(150)である。好ましい実施例は、HSQ(140)を隙間充填用の比誘電率の小さい絶縁体として使うと共に、弗素化酸化シリコン(150)を金属レベル間の比誘電率の小さい絶縁体として含んでいる。

Claim (excerpt)：

多くとも約3.7の比誘電率を持つ第1の誘電体材料で作られた、第1の導体に隣接する第1の絶縁体領域と、前記第1の誘電体材料とは異なり、約3.7未満の比誘電率を持つ第2の誘電体材料で作られていて、前記第1の絶縁体領域及び前記第1の導体の上方並びに第2の導体の下方にある第2の絶縁体領域とを含む集積回路レベル間絶縁構造。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 集積された低密度の誘電体を備えた相互接続構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-120214   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 集積回路用絶縁体とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-300988   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 半導体装置の層間絶縁膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-131419   Applicant：ソニー株式会社