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J-GLOBAL ID：200903097016618127

成膜方法

Inventor： 阿川 義昭 ,  後藤 誠一 ,  木内 正人 ,  杉本 敏司
Applicant, Patent owner： 株式会社アルバック ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001334404
Publication number (International publication number)：2003137521
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】大面積の基板にカーボンナノチューブを成膜する。【解決手段】真空槽11内部に基板17を搬入し、試料ステージ16とターゲット19との間に交流電圧を印加し、まずターゲット19をスパッタリングさせて基板17の表面に、触媒材料であるターゲット材料からなる薄膜を成膜させ、その後真空槽11内部を原料ガスと置換し、触媒材料の薄膜表面に、カーボンナノチューブの薄膜を成長させている。このため、一つの真空槽11を用いて、基板17上に、触媒材料の薄膜と、カーボンナノチューブの薄膜との両方を成膜することができる。また、試料ステージ16とターゲット19の面積を大きくするだけで、大面積の基板表面にもカーボンナノチューブを成膜することができる。

Claim (excerpt)：

真空槽と、前記真空槽内に配置されたターゲットと、前記ターゲットと対向して前記真空槽内に配置された基板ホルダとを用い、基板を前記基板ホルダに保持させ、真空雰囲気にされた前記真空槽の内部に炭素原子を含む原料ガスを導入して、前記基板の表面にカーボンナノチューブを成膜する成膜方法であって、前記ターゲットをスパッタリングさせた後、前記原料ガス雰囲気にされた前記真空槽の内部の、前記ターゲットと前記基板ホルダとの間に交流電圧を印加する成膜方法。

IPC (4)：

C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/26

FI (4)：

C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/34 M ,  C23C 16/26

F-Term (16)：

4G046CA01 ,  4G046CA02 ,  4G046CB00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA12 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA27 ,  4K030BB13 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03