スパッタリングターゲット

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：須山佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000150514
Publication number (International publication number)：2001335923
Application date： May. 22, 2000
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。【解決手段】スパッタリングターゲットの各部位の酸素量がターゲット全体の酸素量の平均値に対して±20%以内の範囲にあるスパッタリングターゲットである。また、スパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±40%以内とする。さらに、スパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±70%以内とする。

Claim (excerpt)：

スパッタリングターゲットの各部位の酸素量がターゲット全体の酸素量の平均値に対して±20%以内の範囲にあることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (5)：

C23C 14/34 , C22C 14/00 , C22C 19/07 , C22C 21/12 , C22C 22/00

FI (5)：

C23C 14/34 A , C22C 14/00 Z , C22C 19/07 Z , C22C 21/12 , C22C 22/00

F-Term (9)：

4K029BA02 , 4K029BA03 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029BA21 , 4K029BA23 , 4K029BA24 , 4K029DC03 , 4K029DC04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

スパッタタ-ゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-180773 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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